商傳媒｜吳承岳／台北報導
摘要
中國最大DRAM廠長鑫儲存已開始進行最新一代高頻寬記憶體HBM3E的先期試產，並由阿里巴巴與寒武紀科技等中國AI晶片業者測試，此舉顯示中國半導體產業正加速追趕，對三星與SK海力士等全球HBM龍頭構成潛在挑戰。
據外媒報導，中國最大動態隨機存取記憶體（DRAM）製造商長鑫儲存（CXMT），已開始進行第五代高頻寬記憶體HBM3E的先期試產。這項發展預計將對目前由韓國三星與SK海力士主導的全球高頻寬記憶體（HBM）市場帶來新的競爭壓力。
報導指出，長鑫儲存的HBM3E已進入風險生產（risk production）階段。阿里巴巴集團旗下的半導體設計公司平頭哥半導體，以及中國人工智慧（AI）晶片業者寒武紀科技，正在使用自家的處理器進行測試。如果驗證過程順利，長鑫儲存的HBM3E最快可能在2027年起實際應用於產品中。
HBM3E是一種專為人工智慧（AI）晶片設計的先進記憶體技術，能夠提供超高速的資料傳輸頻寬，以滿足AI運算對巨量資料處理的需求。然而，儘管長鑫儲存已啟動先期試產，但目前尚未正式宣布大規模量產或向客戶供應。
產業觀察家認為，HBM3E的成功量產仍面臨多重挑戰。包括產品的良率、實際性能、散熱表現、長期可靠性以及與各式AI處理器的相容性，都需耗時驗證。即使技術挑戰得以克服，如何在經濟規模下進行大規模生產，也將是長鑫儲存未來需要面對的關鍵課題。中國在半導體領域的快速發展，特別是在HBM等關鍵技術上的追趕，正促使全球半導體產業重新評估市場格局。